Từ Trạm Phát Sóng Đến Thiết Bị Kiểm Tra: Phân Tích Toàn Diện Các Kịch Bản Ứng Dụng Cho Điện Trở RF

Những thách thức:

• Các đầu cuối RF của trạm cơ sở 5G cần xử lý hàng chục đến hàng trăm watt năng lượng truyền

• Trong các mảng ăng-ten MIMO lớn, mạng phân phối tín hiệu phân chia năng lượng qua nhiều kênh

• Sức mạnh phản xạ từ mỗi kênh, nếu không được hấp thụ hiệu quả có thể được đưa trở lại mô-đun khuếch đại công suất

• Hậu quả: Hiệu suất PA suy giảm, và trong trường hợp nghiêm trọng, các thiết bị có thể bị cháy

Giải pháp của SHINHOM:

• Các kết thúc của mặt phẳng

• Mô hình điển hình: RFR50N-800CT93401A

• Khả năng xử lý: tối đa 800W

• VSWR thấp đến 1.20:1 (DC đến 1,2GHz)

• Tận dụng hiệu quả năng lượng phản xạ để bảo vệ mô-đun PA

• Cấu trúc sườn với chất nền AlN đảm bảo dẫn nhiệt nhanh cho hoạt động ổn định ở công suất cao

Kịch bản 2: Thiết bị thử nghiệm và đo lường  Thiết bị giảm cường độ cho phép kiểm soát tín hiệu chính xác

Những thách thức:

• Máy phân tích phổ, máy tạo tín hiệu và máy phân tích mạng dựa trên sự suy giảm tín hiệu chính xác

• Máy giảm áp phải cung cấp sự suy giảm ổn định trên toàn bộ băng tần hoạt động

• VSWR thấp và tính phẳng tốt phải được duy trì

• Mặt trước phải xử lý tín hiệu công suất cao từ thiết bị đang được thử nghiệm

• Tín hiệu phải đi qua mà không bị biến dạng

• Sự thay đổi nhiệt độ có thể ảnh hưởng đến độ chính xác của sự suy giảm

Giải pháp của SHINHOM:

• Dòng bộ làm giảm cường độ chip (các gói CA-A, CA-C)

• Giá trị suy giảm tiêu chuẩn: 30dB, dung sai ±1dB

• Tỷ lệ nhiệt độ: ± 150ppm/°C, ổn định trong toàn bộ phạm vi nhiệt độ

• Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C

• Gói chip hỗ trợ vị trí SMT, phù hợp với thiết kế PCB mật độ cao

• AlN chất nền + quá trình phim mỏng

• VSWR thấp đến 1.20:1 (DC đến 3GHz)

• Mất tích lũy ổn định với hiệu suất ức chế âm thanh tuyệt vời

Những thách thức:

• Các bộ cô lập tại đầu ra PA ngăn chặn năng lượng phản chiếu từ việc cung cấp lại

• Cổng thứ ba của bộ cô lập đòi hỏi một kết thúc công suất cao để hấp thụ năng lượng phản xạ

• Khả năng năng lượng không đủ hoặc phân tán nhiệt kém ở đầu có thể gây ra sự cố cách ly

• Hậu quả: Thiệt hại của mô-đun PA

Giải pháp của SHINHOM:

• Dòng kết thúc lắp đặt vòm (các gói TX-A, TX-B)

• Mô hình điển hình: RFR50N-500CT2732A

• Khả năng xử lý: 500W

• VSWR tốt hơn 1.30:1 (DC đến 2,5GHz)

• Cấu trúc gắn flange để gắn trực tiếp với bề mặt tản nhiệt

• Chất nền AlN có độ dẫn nhiệt cao (170-200W/m·K)

• Nhiệt được dẫn nhanh đến hệ thống làm mát, ngăn ngừa tích tụ các điểm nóng